IGZO面板成主流Polyera加码投入新时代

根据市场研究机构NPD与DisplaySearch的研究指出，近来在智慧型与平板电脑跳耀式成长发展下，使得新一代TFT的制程，包括(lowtemperaturepolysilicon，低温多晶矽)和IGZO(indiumgalliumzincoxide，组成的非结晶氧化物半导体技术)等生产高解析度的技术日趋重要。

经由这些新技术所采用的高迁移率半导体材料，可缩小TFT尺寸，提高开口率，使得解析度超过每英寸 00画素( 00PPI)的面板，逐渐应用于智慧型与平板电脑，而这些新面板生产技术也将逐渐成为市场的主流。

非晶矽成本低最广泛被应用

目前，TFT面板的生产制程大致可分为a-Si非晶矽、LTPS低温多晶矽、以及IGZO氧化铟镓锌非结晶氧化物半导体技术等三种。而这三种生产技术中，传统的a-Si制程具备产能大、制程短、成本低的优势。因此，a-Si制程也是目前使用最广泛的技术，产品应用涵盖大部分、平板电脑、笔记型电脑的萤幕和几乎所有的液晶电视萤幕。

然而，在矽晶结构上，a-Si的排列对员工上行为进行有效的管理和控制较为分持股比例为8.8%。 这意味着散零乱，也使得电子迁移率平均在0.5~1cm2/Vs，速率较差。因此，在需要高解析度及高亮度的产品上处于劣势。

低温多晶矽成本高适用高阶产品

而相对于a-Si制程，LTPS制程透过高温的方式形成结晶(一般须高于400度或500度以上)，使矽晶排列较a-Si制程来的整齐有序，从而提高电子迁移率至100cm2/Vs左右，较a-SiTFT高100倍以上。因此，利用LTPS制程可将TFT元件做得更小，并且提升单画素开口率(apertureratio)、增加解析度、降低功耗。

目前，以日系业者为主的中小尺寸面板业者，以及供应市面上大多数产品的三星，较为专注在LTPS制程上。只是，相对于a-Si制程，LTPS虽然解析度较精细，但制程设备以及生产的制程也复杂许多，产能扩张的资本投资惊人，以致产能受限且成本居高不下，因此现阶段多半锁定在高阶的应用上。

此外，LTPS制程在结晶过程中，必须利用准分子雷射作为热源，让雷射光经过投射系统后，产生能量均匀分布的雷射光束，投射于玻璃基板上的非晶矽结构薄膜，当非晶矽结构薄膜吸收准分子雷射的能量后，就会转变成为多晶矽结构。然而这个制程很容易因为雷射能量的细微变化，造成局部结晶状况不同，进一步使面板有Mura的现象。同时，也因为结晶设备和其他相关设备的限制，使得LTPS制程局限于五点五代线以下，而难以运用在大尺寸的产品上，影向了LTPS制程全方位的发展。

IGZO结合技术优势提供最高性价比

就因为a-Si制程及LTPS制程各有其先天上的优缺点，因此结合这两种制程优点的IGZO氧化铟镓锌技术就应运而生。

这种氧化物半导体薄膜电晶体技术，最早是由东京工业大学细野秀雄教授于200 年所发表，原理是使用由铟(Indium；In)、镓(Gallium；Ga)、锌(Zinc；Zn)三种金属的氧化物所组合成的材料作为TFT的主动层，由于具有特殊的电子组态，当电子透过IGZO进行传导时，其迁移率可较a-Si提高20倍以上，一般而言其速度仍可高达10~20cm2/Vs。